Alcaldia de Santiago

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miércoles, 14 de enero de 2026

Revistas científicas internacionales publican investigaciones en electrónica y física aplicada del INTEC

 


Profesores del Instituto Tecnológico de Santo Domingo (INTEC),Baldo Daporto, Santiago Gallur y Sabine Mary.


Los profesores del Instituto Tecnológico de Santo Domingo (INTEC) se abren camino en el ámbito científico internacional, logrando publicaciones de sus trabajos en prestigiosas revistas científicas. Este es el caso de las revistas Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias e Ibero Ciencias, que en sus primeras ediciones de este 2026 traen investigaciones en electrónica y física de intecianos.

Baldo Daporto, Santiago Gallur y Sabine Mary publicaron el artículo “Más allá de la reducción del nodo. Condicionantes físicos, tecnológicos en el futuro de los semiconductores. Revisión sistemática de literatura” en la reconocida revista científica y académica Ibero Ciencias.

Mediante una comunicación, los docentes fueron notificados por la dirección editorial de la revista de que el artículo fue aprobado para publicación, luego de agotar una serie de procesos editoriales que incluyen la evaluación por pares académicos bajo la modalidad doble ciego, conforme a las políticas de arbitraje científico de la publicación.

También, se completó la revisión mediante software de detección de similitud, cumpliendo con los estándares de originalidad exigidos y, finalmente, la aprobación por parte del Comité Editorial de la revista, luego de verificar el cumplimiento de los criterios científicos, éticos y formales requeridos para fines de difusión.

El artículo científico presenta una revisión exhaustiva de investigaciones científicas, reportes técnicos e informes industriales que abordan las tecnologías emergentes destinadas a viabilizar la producción de nodos de 2 nm y más allá, integrando los avances más recientes de los sectores académico e industrial.

De igual forma, el trabajo examina las arquitecturas innovadoras, como los transistores Gate-All-Around (GAAFET) y Complementary FET (CFET), junto con la utilización de materiales bidimensionales, canales de alta movilidad y metales alternativos que mejoran la eficiencia de las interconexiones. Asimismo, se analizan las innovaciones en los procesos de fabricación, como la litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA EUV), la deposición a escala atómica (ALD) y la integración tridimensional (3D).

Finalmente, se exploran las proyecciones hacia 2030, destacando los desafíos de fiabilidad, manufactura en volumen, costos y sostenibilidad, entre otros aspectos.




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